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氮化鎵（GaN氮?dú)夂嫦洌┦且环N寬禁帶半導(dǎo)體材料
來(lái)源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2024-04-28 | 292 次瀏覽 | 分享到:
氮化鎵（GaN氮?dú)夂嫦洌┦且环N寬禁帶半導(dǎo)體材料。GaN產(chǎn)業(yè)范疇大致包括：GaN單晶襯底（以SiC、Si、藍(lán)寶石為襯底）、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)以及器件制造。國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)以IDM模式為主，充分挖掘行業(yè)技術(shù)潛力，且有條件率先實(shí)驗(yàn)并推行新技術(shù)。隨著行業(yè)規(guī)模不斷拓展， 設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)分工。

      氮化鎵（GaN氮?dú)夂嫦?/strong>）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料之一。

      第三代半導(dǎo)體因?yàn)榫哂懈鼘挼慕麕挾取⒏叩膿舸╇妶?chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，更適合制作高溫、高頻、大功率及抗輻照器件，可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域，包括射頻通信、雷達(dá)、衛(wèi)星、電源管理、汽車(chē)電子、工業(yè)電力電子等。

      GaN產(chǎn)業(yè)范疇大致包括：GaN單晶襯底（以SiC、Si、藍(lán)寶石為襯底HMDS烘箱）、GaN材料外延氮?dú)夂嫦?/span>、器件設(shè)計(jì)以及器件制造。國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)以IDM模式為主，充分挖掘行業(yè)技術(shù)潛力，且有條件率先實(shí)驗(yàn)并推行新技術(shù)。隨著行業(yè)規(guī)模不斷拓展， 設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)分工。

      氮化鎵射頻器件主要應(yīng)用于軍用雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、5G 基站等方面，由于涉及國(guó)家安全，海外企業(yè)對(duì)高性能氮化鎵器氮?dú)夂?/span>箱件實(shí)行對(duì)華禁運(yùn)。在國(guó)產(chǎn)替代的迫切要求下，相關(guān)氮化鎵射頻器件企業(yè)已逐步打破國(guó)外壟斷，取得技術(shù)進(jìn)步。

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