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SiC MOS 在有源功率因數(shù)校正電路的優(yōu)勢
來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2024-01-02 | 401 次瀏覽 | 分享到:

      在電力電子技術(shù)的發(fā)展中，硅功率器件的使用已經(jīng)發(fā)揮到了極致。第三代功率半導(dǎo)體器件SiC（HMDS烘箱）的出現(xiàn)，為電力電子技術(shù)的行業(yè)發(fā)展提供了廣闊的前景，不管是器件制造行業(yè)，還是電力電子裝置行業(yè)，都有了光明的前途。目前，開關(guān)電源都朝著高效和高頻化方向發(fā)展，從而造成了開關(guān)損耗增加、電源效率降低以及電磁感染嚴(yán)重等問題。針對這些問題，采用SiC MOS代替?zhèn)鹘y(tǒng)的Si MOS，可實(shí)現(xiàn)極高的開關(guān)速度，高開關(guān)頻率和低開關(guān)損耗，同時(shí)采用有源功率因數(shù)校正的方法來提高開關(guān)電源的利用率。

    為了提高開關(guān)電源的工作頻率，降低開關(guān)損耗，減少電磁污染等，采用第三代半導(dǎo)體（HMDS烘箱）功率器件SiC MOS代替?zhèn)鹘y(tǒng)的Si MOS，同時(shí)采用有源功率因數(shù)校正技術(shù)來提高開關(guān)電源的利用率。該文分析了整個(gè)電路的工作原理，利用Matlab仿真軟件對電路進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，在開關(guān)電源中使用SiC MOS可以提高開關(guān)頻率，降低開關(guān)損耗，提高電源的利用率。功率因數(shù)可達(dá)0.998以上，負(fù)載上輸出的直流電壓穩(wěn)定，紋波電壓誤差小。

SiC MOSHMDS烘箱

溫度范圍：RT+10-200℃

真空度：≤1torr

操作界面：人機(jī)界面

工藝編輯：可儲(chǔ)存5個(gè)配方

氣體：N2進(jìn)氣閥，自動(dòng)控制

容積：定制

產(chǎn)品兼容性：2~12寸晶圓及碎片、方片等

  HMDS烘箱適用行業(yè)：MEMS、太陽能、電池片、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。