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GaN基Micro LED由于具有高亮度、高穩定性、長壽命和低功耗等優點，被認為是繼LCD和OLED之后，最具潛力的下一代顯示技術。在顯示應用中，通常需要驅動電路與Micro LED通過異質集成以達到對單個像素控制的目的，研究更高效可靠的Micro LED與驅動電路的集成方式對顯示應用有著重要的意義。

近日，南京大學莊喆、劉斌團隊提出了一種GaN基Micro LED用準垂直MOSFET驅動的全氮化物單片集成方法，實現了對不同尺寸Micro LED芯片的電流驅動。相關研究工作近期以“Monolithic integration of GaN-based green Micro LED and quasi-vertical MOSFET utilizing a hybrid tunnel junction”為題發表在《IEEE Electron Device Letters》上。

Micro LED無塵烘箱

工作室尺寸：450*450*450mm，W500*H700*D600mm， 

        W500*H550*D500mm多尺寸定制

工作室：1個或多個定制

溫度范圍 ：室溫--300℃     
溫度波動度 ：±1℃
溫度均勻度 : ±1.5%℃  
升溫速率 : 8℃/min         
循環風方式 ：內部循環     
電源： 三相五線制，380V，50HZ     
總功率： 8KW 

外箱材料：優質冷軋板鋼板噴塑  

內膽材料：SUS 304 不銹鋼制作    

Micro LED無塵烘箱適用于IC可靠性試驗，IC封裝，光刻膠固化，電子液晶顯示、LCD、CMOS、IS、醫藥、實驗室等生產及科研部門；也可用于非揮發性及非易燃易爆物品的干燥、熱處理、老化等其他高溫試驗。