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     氮化鎵半導體激光器目前覆蓋近紫外（375 nm）至綠光（532 nm）的波長范圍，廣泛應用于激光曝光、激光顯示、激光焊接、激光照明、激光指示、激光傳感等重要領域。

     來自北京大學的研發團隊經過逾20年的刻苦攻關，在數十項國家級和省部級科研項目的大力支持下，攻克了氮化鎵半導體激光器相關的主要科學和技術問題，建立了芯片制備技術中的8大核心工藝，打破國外企業長期的技術壟斷，有力實現“彎道超車”。

     由于技術門檻較高，只有國際極少數頂尖企業掌握該芯片的生產制造技術。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態新區智能電網產業園。

     近日，颶芯科技的氮化鎵（GaN）半導體激光器芯片量產線投產發布會宣布產線正式投產。颶芯科技氮化鎵半導體激光器芯片產線的投產，將極大地促進颶芯科技發展成為國內第三代半導體行業細分領域的龍頭企業，帶動上下游形成完整的第三代半導體產業鏈，輻射全國，服務全球。

氮化鎵（GaN）襯底HMDS烘箱

       HMDS烘箱適用于硅片、砷化鎵、氮化鎵、磷化銦、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石等第三代半導體工藝。

      HMDS烘箱工藝先去除水蒸氣烘烤后，在基地表面使用氣相沉積的方法涂布HMDS試劑，使基底表面由親水性變為疏水性，增強表面的黏附性（HMDS-六甲基二硅胺烷）。